EPI芯片（外延芯片）
采用外延片为载体，进行扩散、玻璃钝化，得到特殊产品特性，TRR波形振荡较小，应用上干扰较小。
外延片是指用外延工艺在衬底表面生长薄膜所生片的单晶硅片。采用外延片为载体，进行扩散、玻璃钝化，得到特殊产品特性，TRR波形振荡较小，应用上干扰较小。
可以满足客户在高温、高湿、强电场等恶劣条件下长时间工作需求。
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- EPI芯片参数配置表
-
参数配置表
|
Dimension |
A |
B |
C |
D |
|
Limits ±12 |
Limits ±2 |
Limits ±3 |
Limits ±1 |
|
|
1A |
50 |
12 |
27 |
2 |
|
2~4A |
64 |
12 |
41 |
2 |
|
3~6A |
72 |
12 |
49 |
2 |
|
5~8A |
84 |
12 |
61 |
2 |
|
8~10A |
95 |
12 |
72 |
2 |
|
Parameter |
Symbol |
SF50 |
SF64 |
SF72 |
SF84 |
SF95 |
Unit |
|
Peak Inverse V |
PIV |
100 ~ 800 |
Volts |
||||
|
Forward Current |
IF |
1 |
3 |
5 |
8 |
10 |
Amps |
|
Forward Volts |
VF |
PIV：200V VF spec. 0.9 PIV：400V VF spec. 1.25 PIV：600V VF spec. 1.7 PIV：800V VF spec. 2.2 |
Volts |
||||
|
Reverse recovery time |
TRR |
20~35 |
ns |
||||
|
Surge Current |
IFSM |
30 |
100 |
125 |
Amp/8.3ms |
||
|
Leakage at 100℃ |
IRFM |
400 |
uA |
||||
|
Junction Temp |
TJ,MAX |
150 |
Degrees ℃ |
||||
|
Leakage 25℃ |
IRFM |
10.0 |
uA |
||||
|
Storage Temp |
TST |
-65 ------- 150 |
Degrees ℃ |
||||
|
Die Attach Temp |
TD |
340~375 |
Degrees ℃/2 min |
||||
TRR波形振荡较小(应用上干扰较小)
本公司提供PG光刻制程,可根据客制要求电性特性;
低温升产品；
大功率产品；
白/黄金扩散产品。
