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关于科芯
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公司成立于 1992年，是一家集研发、制造、销售为一体的半导体企业，企业现占地面积200亩，拥有高标准生产车间30000㎡，其中万级净化区域8000㎡，千级净化区域2000㎡。

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产品系列
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公司主要产品包括原硅片产品、OJ扩散产品、GPP玻璃钝化产品三大系列，单晶硅片包括 3〞、4〞、 5〞、 6〞、产品，OJ 及 GPP 类包括 STD、FR、HER、SF、TVS 等产品。

单晶硅片

扩散芯片

刀刮GPP芯片

光阻GPP芯片

电泳GPP芯片

TVS芯片

EPI芯片（外延芯片）
核心能力
核心能力

公司不断开拓创新、研发新产品，2000年与山东大学孟尧微电子研究所成立了研发协作体，2004年成立济南市技术中心，2012年成立济南市工程研究中心,并聘请山东大学教授、台湾行业专家、技术顾问参与产品技术的提升。

品质能力

技术支持

研发中心
人力资源
人力资源

公司确立“以人为本、开拓创新、市场导向、顾客满意”的经营管理理念，发扬不断学习、奋发向上、勇于超越的精神，致力于成为世界一流的半导体产品制造基地和开发基地。

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光阻GPP芯片

采用光阻法生产GPP芯片，采用SIPOS（掺氧半绝缘多晶硅）沉积等技术，对提高芯片本身可靠性和稳定性等品质能力有其明显。

Gpp是Glassivation（玻璃化）passivation（钝化）parts（元件）or parts of an apparats（器件）词组的缩写，是玻璃钝化类器件的统称，它泛指引入或包含有结质膜保护工艺手段的所有有源器件。

但是，由于玻璃钝化工艺措施对结界面裸露于体外的多种平面类二极管应用效果更为显著，并且已成为成功的典型应用，从而使Gpp(Glassivation passivation parts)逐渐成为了“玻璃钝化二极管”的代名词了。

因此玻璃钝化工艺由于具有较高的可靠性和稳定性,被广泛应用在高反压大功率二极管的台面钝化。目前形成玻璃钝化膜的方法主要有刀刮法、光阻法和电泳法等，本公司可根据客户需要，搭配客户封装形式选择相应的工艺生产。

光阻法是一种将玻璃钝化与光刻技术结合起来的钝化方式，通过SIPOS（掺氧半绝缘多晶硅）沉积，并选择性玻璃钝化，对PN结面进行有效保护，芯片可靠性和稳定性等品质能力大大提高。

可以满足客户在高温、高湿、强电场等恶劣条件下长时间工作需求。

产品包括各种规格STDGPP,FRGPP,HERGPP,SFGPP，TVSGPP等各类产品。

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光阻GPP芯片参数配置表
STD GPP普通整流管芯片参数配置表
FR GPP快速恢复整流管芯片参数配置表
HER GPP高效整流管芯片参数配置表
SF GPP超快速整流管芯片参数配置表

STD GPP普通整流管芯片

Standard Rectifier Chip

序号	型号	尺寸				电性参数
序号	型号	A(mil)	B(mil)	C(mil)	D(uM)	VF(V) ≥98%	IF(A)	VR(V)	IR(uA) @25℃	TRR(ns)@ RG-1≥98%
1	SGPP45M	45±2	45±2	26±3	260±20	<0.98	1A	>1100	1	>800
2	SGPP46M	46±2	46±2	26±3	260±20	<0.98	1A	>1100	1	>800
3	SGPP50M	50±2	50±2	30±3	260±20	<0.98	1A	>1100	1	>1000
4	SGPP60M	60±2	60±2	40±3	260±20	<1.0	2A	>1100	1	>1000
5	SGPP70M	70±2	70±2	49±3	260±20	<1.0	3A	>1100	2	>1000
6	SGPP84M	84±2	84±2	62±3	260±20	<1.0	4A	>1100	2	>1000
7	SGPP88M	88±2	88±2	66±3	260±20	<1.0	4A	>1100	2	>1000
8	SGPP95M	95±2	95±2	73±3	260±20	<1.0	5A	>1100	2	>1000
9	SGPP100M	100±2	100±2	78±3	260±20	<1.0	5A	>1100	5	>1000
10	SGPP110M	110±2	110±2	86±3	260±20	<1.0	7.5A	>1100	5	>1000
11	SGPP120M	120±2	120±2	96±3	260±20	<1.0	10A	>1100	5	>1000
12	SGPP130M	130±2	130±2	104±3	260±20	<1.0	12.5A	>1100	5	>1000
13	SGPP140M	140±2	140±2	114±3	260±20	<1.0	12.5A	>1100	5	>1000
14	SGPP160M	160±2	160±2	134±3	260±20	<1.0	17.5A	>1100	5	>1000
15	SGPP180M	180±2	180±2	154±3	260±20	<1.0	20A	>1100	5	>1000

FR GPP快速恢复整流管芯片

Fast Recovery Rectifier Chip

序号	型号	尺寸				电性参数
序号	型号	A(mil)	B(mil)	C(mil)	D(uM)	VF(V) ≥98%	IF(A)	VR(V)	IR(uA)@ 25℃	TRR(ns)@RG-1 ≥98%
1	FR104G	46±2	46±2	26±3	230±10	<1.2	1A	>600	2	<150
2	FR104G	50±2	50±2	30±3	230±10	<1.2	1A	>600	2	<150
3	FR204G	60±2	60±2	40±3	230±10	<1.2	2A	>600	2	<150
4	FR204G	70±2	70±2	49±3	230±10	<1.2	2A	>600	2	<150
5	FR304G	84±2	84±2	62±3	230±10	<1.2	3A	>600	2	<150
6	FR105G	46±2	46±2	26±3	230±10	<1.2	1A	>800	2	<150
7	FR105G	50±2	50±2	30±3	230±10	<1.2	1A	>800	2	<150
8	FR205G	60±2	60±2	40±3	230±10	<1.2	2A	>800	2	<150
9	FR205G	70±2	70±2	49±3	230±10	<1.2	2A	>800	2	<150
10	FR305G	84±2	84±2	62±3	230±10	<1.2	3A	>800	2	<150
11	FR107G	46±2	46±2	26±3	255±10	<1.3	1A	>1100	2	<400
12	FR107G	50±2	50±2	30±3	255±10	<1.3	1A	>1100	2	<400
13	FR207G	60±2	60±2	40±3	255±10	<1.3	2A	>1100	2	<400
14	FR207G	70±2	70±2	49±3	255±10	<1.3	2A	>1100	2	<400
15	FR307G	84±2	84±2	62±3	255±10	<1.3	3A	>1100	2	<400

HER GPP高效整流管芯片

High Efficieny Rectifier Chip

序号	型号	尺寸				电性参数
序号	型号	A(mil)	B(mil)	C(mil)	D(uM)	VF(V) ≥98%	IF(A)	VR(V)	IR(uA)@ 25℃	TRR(ns)@RG-1 ≥98%
1	H103G	46±2	46±2	26±3	200±10	<1.0	1A	>260	2	<50
2	H103G	50±2	50±2	30±3	200±10	<1.0	1A	>260	2	<50
3	H203G	60±2	60±2	40±3	200±10	<1.0	2A	>260	2	<50
4	H203G	70±2	70±2	49±3	200±10	<1.0	2A	>260	2	<50
5	H303G	84±2	84±2	62±3	200±10	<1.0	3A	>260	2	<50
6	H105G	46±2	46±2	26±3	210±10	<1.25	1A	>450	2	<50
7	H105G	50±2	50±2	30±3	210±10	<1.25	1A	>450	2	<50
8	H205G	60±2	60±2	40±3	210±10	<1.25	2A	>450	2	<50
9	H205G	70±2	70±2	49±3	210±10	<1.25	2A	>450	2	<50
10	H305G	84±2	84±2	62±3	210±10	<1.25	3A	>450	2	<50
11	H108G	46±2	46±2	26±3	230±20	<1.68	1A	>1100	2	<75
12	H108G	50±2	50±2	30±3	230±20	<1.68	1A	>1100	2	<75
13	H208G	60±2	60±2	40±3	230±20	<1.68	2A	>1100	2	<75
14	H208G	70±2	70±2	49±3	230±20	<1.68	2A	>1100	2	<75
15	H308G	84±2	84±2	62±3	230±20	<1.68	3A	>1100	2	<75

SF GPP超快速整流管芯片

Super Fast Rectifier Chip

序号	型号	尺寸				电性参数
序号	型号	A(mil)	B(mil)	C(mil)	D(uM)	VF(V) ≥98%	IF(A)	VR(V)	IR(uA)@ 25℃	TRR(ns)@RG-1 ≥98%
1	SF104G	46±2	46±2	25±3	200±10	<0.95	1A	>260	1	<35
2	SF104G	50±2	50±2	30±3	200±10	<0.95	1A	>260	1	<35
3	SF204G	60±2	60±2	40±3	200±10	<0.95	2A	>260	2	<35
4	SF304G	70±2	70±2	49±3	200±10	<0.95	3A	>260	3	<35
5	SF304G	84±2	84±2	62±3	200±10	<0.95	3A	>260	3	<35
6	SF304G	88±2	88±2	66±3	200±10	<0.95	3A	>260	3	<35
7	SF504G	95±2	95±2	73±3	200±10	<0.95	5A	>260	5	<35
8	SF604G	110±2	110±2	86±3	200±10	<0.95	6A	>260	5	<35
9	SF106G	46±2	46±2	25±3	210±10	<1.25	1A	>450	1	<35
10	SF106G	50±2	50±2	30±3	210±10	<1.25	1A	>450	1	<35
11	SF206G	60±2	60±2	40±3	210±10	<1.25	2A	>450	2	<35
12	SF306G	70±2	70±2	49±3	210±10	<1.25	3A	>450	3	<35
13	SF306G	84±2	84±2	62±3	210±10	<1.25	3A	>450	3	<35
14	SF306G	88±2	88±2	66±3	210±10	<1.25	3A	>450	3	<35
15	SF506G	95±2	95±2	73±3	210±10	<1.25	5A	>450	5	<35
16	SF606G	110±2	110±2	86±3	210±10	<1.25	6A	>450	5	<35
17	SF108G	46±2	46±2	25±3	220±20	<1.68	1A	>650	1	<35
18	SF104G	50±2	50±2	30±3	220±20	<1.68	1A	>650	1	<35
19	SF208G	60±2	60±2	40±3	220±20	<1.68	2A	>650	2	<35
20	SF308G	70±2	70±2	49±3	220±20	<1.68	3A	>650	3	<35
21	SF308G	84±2	84±2	62±3	220±20	<1.68	3A	>650	3	<35
22	SF308G	88±2	88±2	66±3	220±20	<1.68	3A	>650	3	<35
23	SF508G	95±2	95±2	73±3	220±20	<1.68	5A	>650	5	<35
24	SF608G	110±2	110±2	86±3	220±20	<1.68	6A	>650	5	<35