通过掺磷或掺硼，采用MCZ工艺，生产尺寸为3寸、4寸，电阻5-55Ω.cm，

以单晶硅片为载体，通过掺磷或硼的扩散方式，生产各种规格STD，FR，HER，SF，TVS等各类产品。

采用刀刮方法生产GPP芯片，并可根据客户需要结合SIPOS（掺氧半绝缘多晶硅）沉积工艺生产，

采用光阻法生产GPP芯片，采用SIPOS（掺氧半绝缘多晶硅）沉积等技术，

本公司提供200W、400W、600W、1500W、5000W之 6.8V至400V A/CA(单向及双向)产品，

采用外延片为载体，进行扩散、玻璃钝化，得到特殊产品特性，TRR波形振荡较小，应用上干扰较小。